| مشخصات | |
| سرعت نوشتن ترتیبی | ۶,۳۰۰ مگابایت بر ثانیه MB/s |
| سرعت خواندن ترتیبی | ۷,۱۵۰ مگابایت بر ثانیه MB/s |
| سرعت نوشتن تصادفی | حداکثر ۱,۳۵۰,۰۰۰ IOPS IOPS |
| سرعت خواندن تصادفی | حداکثر ۸۵۰۰۰۰ IOPS IOPS |
| میانگین عمر | ۱.۵ میلیون ساعت |
| سایر قابلیتها | نوع رابط : PCIe® ۴.۰ x۴ / ۵.۰ x۲ NVMe™ ۲.۰ پشتیبانی از S.M.A.R.T : دارد قابلیت پشتیبانی از TRIM : دارد نوع کنترل کننده (Controller) : Samsung in-house Controller نوع حافظه NAND : V-NAND TLC دمای عملیاتی : ۰ - ۷۰ ℃ |
ارسال نظر
- - نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
- - لطفا دیدگاهتان تا حد امکان مربوط به مطلب باشد.
- - لطفا فارسی بنویسید.
- - میخواهید عکس خودتان کنار نظرتان باشد؟ به gravatar.com بروید و عکستان را اضافه کنید